近期,索尼宣布扩建公司位于长崎县的半导体工厂,计划到2023年将最新厂房的面积扩大六成,用于增产图像传感器。
在后摩尔时代,具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体,凭借其大幅降低电力传输中能源消耗的显著优势,在功率器件和射频器件领域大放异彩,成为全球半导体行业的研究焦点。
近年来,国际各大碳化硅生产厂商加速8英寸晶圆的开发量产进程。碳化硅龙头WolfSpeed启用并开始试产旗下一座8英寸新厂,预计明年上半年将有显著营收。
高性能半导体极紫外(EUV)探测器是新一代EUV光刻机、等离子体物理、太阳活动观测,以及系列大科学装置等领域所急需的关键部件。EUV探测器主要针对10-121 nm极紫外谱段光波的剂量与能量探测,由于EUV光子在半导体材料中的穿透深度极浅且光子能量高...
硅作为第一代半导体材料,长久以来一直是功率电子学中优选半导体材料。近年来,以碳化硅为代表的第三代半导体蓬勃发展。相对于硅材料器件,碳化硅以其高压、高频、高温、高速的优良特性,能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度,降低成本造价,增强可靠性和...
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在国内一直被行业和投资人所关注,也对以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体有着很高的热情和期待。
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