近日，山西中电科公司自主研发的第二代立式碳化硅涂层装备成功实现工艺技术迭代升级，装炉量提升70%。涂层周期缩短33%！

研发团队历经30余次工艺试验与结构设计优化，成功攻克流场与温场均匀性控制、涂层工艺匹配、减少副产物等技术难题。通过持续优化工艺参数，在保障产品性能的前提下，较第一代立式碳化硅涂层装备装炉量提升70%。该装备所生产的涂层产品技术指标全面达标，总灰分含量≤1ppm、厚度均匀性100μm±15%、硅碳比接近1:1、硬度≥25GPa、晶型为β-SiC，涂层周期缩短至2天/炉，满足客户对高性能涂层产品的需求，增强公司在规模化量产方面的市场竞争力。

第二代立式碳化硅涂层装备的迭代升级，有效满足市场多样化、规模化需求。未来，公司将继续深耕半导体涂层装备领域，持续提升自主创新与核心技术能力，助力公司高质量发展。