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中天晶科宣布突破12英寸碳化硅单晶生长技术
信息来源: 发布日期:2026-05-12
5月10日,中天晶科通过官方渠道发布消息称,继成功制备8英寸碳化硅晶体之后,公司已进一步实现12英寸碳化硅单晶生长技术的突破。

在大尺寸碳化硅晶体领域,#中天晶科 的技术演进路径清晰:

2022年10月,公司首块8英寸碳化硅晶体问世;2025年3月,首块12英寸碳化硅晶体顺利出炉。随着晶圆尺寸增大,晶体内部的应力控制和缺陷管理难度显著上升,这是行业公认的技术瓶颈。中天晶科研发团队经过多轮严格的技术攻关,逐步解决了大尺寸晶体生长中的核心难题。

值得注意的是,从2025年3月首块12英寸晶体成功制备,到2026年5月正式对外公布,中间间隔了约14个月。

中天晶科在此期间持续进行技术验证与优化,最终确认工艺的稳定性和可重复性。此次技术突破的取得,主要依托于公司自主设计制造的长晶设备,以及持续迭代的工艺技术体系。通过设备与工艺的深度协同,为大尺寸碳化硅晶体的稳定生长提供了可靠保障。
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