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新型SBD和MOSFET封装大幅缩减尺寸，提高功率密度
2022-04-10
几乎在任何应用中，尺寸如同效率一样重要。例如，在企业数据中心中，很大一部分前期成本来自机房租用，而且电费占据大部分运营成本。在各种工业电源和电机驱动应用中，需要在尺寸、重量、效率和成本之间仔细权衡才能取得成功。
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SiCer小课堂｜碳化硅肖特基二极管技术演进解析（一）
2022-04-12
化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。
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碳化硅光伏逆变器，拥抱光伏新机遇
2022-04-19
随着光伏投资成本的下降及发电效率的提升，全球已经进入光伏平价时代。光伏因具有绿色环保，取之不尽，用之不竭的特点，近年来呈高速发展态势。根据中国光伏协会预测，未来五年全球光伏市场最高年均新增装机可达到287GW，2025年最高可达391GW，年复合增速...
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江苏捷捷微电子股份有限公司2021年度报告摘要
2022-04-20
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强茂推出用于功率转换系统的新型650V和1200V碳化硅肖特基势垒二极管 TO-247AD Lineup...
2022-04-20
【TechWeb】4月20日消息，强茂半导体推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基势垒二极管系列，与硅基础的组件相比，它们提供了出色的开关性能和更高的可靠性。 强茂最新发布的650V和1200V碳化硅二极管产品系列采用通孔型TO-220AC、TO-263、TO-252...
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碳化硅的化学性质
2022-04-15
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碳化硅的性质
2022-04-12
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碳化硅的主要应用
2022-04-11
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利用碳化硅的特性可运用在我们那些学习方面
2022-04-10
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基本半导体推出DFN5*6和SMBF封装碳化硅肖特基二极管
2022-04-09
碳化硅属于宽禁带半导体，由其制作的碳化硅肖特基二极管具备耐高温、耐高压的特性，非常适合高频高压应用。相比传统快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管没有反向恢复电流，可显著降低CCM模式下PFC整流管的反向恢复损耗。同时碳化硅二极管搭配氮化镓开关管...
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详解！碳化硅二极管成为大功率电源产品核心竞争力
2022-04-04
碳化硅（SiC）是碳和硅的化合物，碳化硅单晶材料目前采用物理气相输运（PVT）法，在超过2000℃的高温下，将碳粉和硅粉通过高温分解成原子，通过温度控制沉积在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶体。碳化硅是第三代宽禁带半导体材料，与硅（Si）相比，碳化硅的介...
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最全！20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件，工温最高175℃
2022-04-02
MOSFET作为不可替代的基础性产品，被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下， MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高，无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含...
