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  • 基本半导体推出DFN5*6和SMBF封装碳化硅肖特基二极管

    2022-04-09

    碳化硅属于宽禁带半导体,由其制作的碳化硅肖特基二极管具备耐高温、耐高压的特性,非常适合高频高压应用。相比传统快恢复二极管,碳化硅肖特基二极管没有反向恢复电流,可显著降低CCM模式下PFC整流管的反向恢复损耗。同时碳化硅二极管搭配氮化镓开关管...

  • 详解!碳化硅二极管成为大功率电源产品核心竞争力

    2022-04-04

    碳化硅(SiC)是碳和硅的化合物,碳化硅单晶材料目前采用物理气相输运(PVT)法,在超过2000℃的高温下,将碳粉和硅粉通过高温分解成原子,通过温度控制沉积在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶体。碳化硅是第三代宽禁带半导体材料,与硅(Si)相比,碳化硅的介...

  • 最全!20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件,工温最高175℃

    2022-04-02

    MOSFET作为不可替代的基础性产品,被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下, MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高,无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商, 可提供20V-1700V,包含...

  • SiCer小课堂|图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用

    2022-03-22

    现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求,需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此,基本半导体推出的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)...

  • 碳化硅SiC行业研究:把握碳中和背景下的投资机会

    2022-03-28

    碳化硅属于第三代半导体材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和 漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表,相较于硅材料等前两代半导体 材料,其禁带宽度更大,在击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键 参数...

  • “新能半导”大时代新核“芯”——一文读懂碳化硅

    2022-03-22

    半导体产业的基石是芯片,根据半导体材料的区别,将半导体分为三代:第一代半导体材料大部分为目前广泛使用的高纯度硅,第二代化合物半导体材料包括砷化镓、磷化铟,第三代化合物半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表。

  • 热烈庆贺美浦森半导体完成A轮融资

    2022-03-18

    2022年3月,由深圳创东方领投,上市公司和而泰股份跟投,完成了深圳市美浦森半导体有限公司(以下简称“美浦森”)近亿元A轮融资。

  • 碳化硅写入十四五规划,快充市场成为第三代半导体突破口

    2022-03-18

    2020年,当大多数快充电源厂商还在65W氮化镓快充市场探索时,倍思开创性的推出了业界首款120W氮化镓+碳化硅快充充电器。也正是这款产品,第一次将“碳化硅快充”从设想变为现实,开启了碳化硅在快充领域商用的大门。

  • 特斯拉、比亚迪、蔚来等都用了,碳化硅产业站上风口!

    2022-03-13

    电动汽车的爆发式增长,实际上是将碳化硅产业的发展推向了风口,行业巨头Wolfspeed(原名Cree)指出,预计2022年,碳化硅在电动车用市场空间将快速增长,达到24亿美元,而在2017年的时候碳化硅的整体收入才700万美元,也就是说会有接近350倍的增长。...

  • 扬杰科技获168家机构调研:公司3-5年前已经在功率赛道 从二极管、MOS、IGBT到碳化硅做了长...

    2022-03-11

  • 什么是碳化硅半导体,它有哪些特点有哪些应用

    2022-03-13

    碳化硅(SiC)又叫金刚砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成,其实碳化硅很久以前就被发现了,它的特点是:化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,硬度大(莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级)...

  • 解析第三代半导体碳化硅优势 | 2027年市场规模预计增至100亿美元

    2022-03-06

    实现“碳中和”的大背景下,碳化硅是其中绕不开的上游核心材料,不管是光伏领域还是风力发电,还是新能源汽车,还是特高压,都离不开这个第三代半导体核心材料 ”。

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