氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在国内一直被行业和投资人所关注,也对以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体有着很高的热情和期待。
高性能半导体极紫外(EUV)探测器是新一代EUV光刻机、等离子体物理、太阳活动观测,以及系列大科学装置等领域所急需的关键部件。EUV探测器主要针对10-121 nm极紫外谱段光波的剂量与能量探测,由于EUV光子在半导体材料中的穿透深度极浅且光子能量高...
硅作为第一代半导体材料,长久以来一直是功率电子学中优选半导体材料。近年来,以碳化硅为代表的第三代半导体蓬勃发展。相对于硅材料器件,碳化硅以其高压、高频、高温、高速的优良特性,能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度,降低成本造价,增强可靠性和...
17日“创道硬科技”视频号举办了第14场线上直播---“第三代半导体碳化硅器件发展现状和展望”,来自泰科天润的高远从SiC材料的物理特性、下游应用、产业发展情况等多个方面给投资人提供了一场精彩的讲座,回答了关于碳化硅的五大热点问题。
目前市场上的半导体材料以硅基为主,根据摩尔定律,当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍,但随着台积电在1nm及以下芯片方面取得重大进展,硅基半导体未来将面临着摩尔定律失效的问题
智通财经APP获悉,海通国际证券发布研究报告称,碳化硅为一种前途光明的第三代半导体材料。该行认为下游电力电子领域向高电压、高频等趋势迈进,碳化硅材料的特性决定了它将会逐步取代传统硅基,打开巨大的市场空间。由于碳化硅产业链涉及多个复杂技术环节...
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