硅是制造半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已经难以满足高功率及高频器件的需求，作为第三代宽禁带半导体的核心代表，SiC凭借宽禁带、高击穿场强、高电子饱和迁移速率以及高热导率等优点，其相对于第一代和第二代半导体材料在高压大功率领域有着不比拟的优势。


碳化硅功率器件主要应用领域则包括电源、光伏新能源、新能源汽车、轨道交通以及智能电网等，电动车逆变器是碳化硅功率器件的主要市场，在相同功率下，碳化硅模块封装尺寸更小，损耗更低。

轨道交通车辆中大量应用功率半导体器件，碳化硅（SiC）宽禁带半导体材料具有高临界场强、高载流子饱和速度和高热导率等优势，使得SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管等功率半导体器件具备更大电流密度、更快开关速度、更低开关损耗和更高工作温度等优点，有助于轨道交通牵引变流系统小型化、轻量化发展，在轨道交通车辆运营的绿色节能要求下具有显著应用优势。


光伏发电是SiC器件除新能源汽车领域外的第二大应用领域。在光伏发电应用中，虽然以硅基器件为主的传统逆变器成本约占系统10%左右，但它却是系统能量损耗的主要来源之一。相比于硅基IGBT，SiC MOS具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点，并且可以在高温等恶劣的环境中工作，有利于提高光伏逆变器使用寿命。基于SiC优异的性能，SiC在光伏领域的应用逐渐成熟，伴随渗透率的进一步提升，其有望逐渐替代硅基IGBT在光伏逆变器上的应用。