导读： 电科装备自主研制的的12英寸碳化硅晶锭及衬底减薄设备成功交付，突破大尺寸碳化硅精密加工技术，实现晶圆厚度偏差控制在1微米以内，达国际先进水平。
近日，我国第三代半导体关键装备研发取得重大突破。据《科技日报》2月4日报道，由电科装备下属北京中电科公司自主研制的国内首台套12英寸碳化硅晶锭减薄设备和衬底减薄设备，已成功交付行业龙头企业。此次交付标志着国产装备在大尺寸碳化硅精密加工领域实现了新的突破，为国内大尺寸衬底的产能升级提供了核心装备保障。

报道指出，两款设备分别针对不同工艺难点实现了关键技术攻关。晶锭减薄机创新采用自动化抓取与吸附双模式搬送系统，确保了大尺寸晶锭稳定高效传输，适配规模化量产；衬底减薄机则集成了自主研发的超精密空气主轴等关键轴系，可将晶圆片内厚度偏差稳定控制在1微米以内，技术达到国际先进水平。


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