SiC单晶衬底占碳化硅芯片的成本在50%左右，SiC单晶的成本之所以这么高，主要是因为碳化硅单晶的良率低，生长时间长，主要辅材石墨材料和石墨保温毡材料主要依赖进口等。要想大幅降低碳化硅衬底成本，实现碳化硅器件的大规模应用，必须解决碳化硅单晶良率过低、生产效率过低的问题，以及实现石墨材料、石墨保温毡等辅材的国产化替代。而在SiC单晶生长环节中，主要存在2个良率差异现象：一是企业之间的良率差异非常大，领先型企业的良率可以高达50%-60%，而一些新进入者的良率水平在0-30%之间；其次是单个企业不同批次的晶体良率存在一定的波动。
为了提高第三代半导体晶体生长良率和生长效率、实现石墨材料和石墨保温毡材料的国产化替代，长沙市工信局、中国电子科技集团第48研究所、湖南东映碳材料科技股份有限公司、长沙康博文化传媒有限公司共同发起第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会。本次会议报告将聚焦如下焦点：1、第三代半导体晶体生长技术交流；2、第三代半导体晶体生长辅材的技术交流；3、第三代半导体晶体设备的技术交流；4、第三代半导体晶体检测技术交流；5、第三代半导体切割工艺技术与设备交流；6、第三代半导体外延技术交流等。
本次会议聚焦第三代半导体晶体生长技术。清华大学张辉教授、西安交通大学李早阳副教授、西安交通大学陈雪江教授将从碳化硅晶体生长原理方面为提高碳化硅晶体良率指明方向，三安光电研发总监高玉强博士、烁科晶体总经理助理马康夫先生、中电科46所首席科学家王英民先生、宁波捷芯半导体材料有限公司总经理赵新田先生则聚焦碳化硅晶体生长工艺，连科半导体总经理胡动力博士、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长赵丽丽教授、郑州科创电子有限公司则聚焦碳化硅长晶设备；四川福碳新材料科技有限公司首席科学家天津大学冯奕钰教授则聚焦石墨国产化替代；而湖南东映碳材料科技股份有限公司研发总监伍孝博士则聚焦石墨保温毡国产化替代。组委会希望群策群力，加速提高第三代半导体晶体生长良率和生长效率，加速降低碳化硅晶体生长成本。
第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会

一、会议组织单位、时间、地点

主办单位：长沙市工信局

承办单位：

中国电子科技集团第48研究所

湖南东映碳材料科技股份有限公司

长沙康博文化传媒有限公司

协办单位：

湖南宇晶机器股份有限公司



晚宴冠名：

四川福碳新材料科技有限公司
参展单位：

烟台凯泊复合材料科技有限公司

赛迈科先进材料股份有限公司

湖南顶立科技股份有限公司

连科半导体有限公司

北京中光睿华科技有限公司

郑州科创电子有限公司

湖南芯易德科技有限公司

厚礼博精密仪器（北京）有限公司

中宝（西安）科技集团有限公司

惠丰钻石股份有限公司

河南厚德钻石科技有限公司

苏州达肯过滤技术有限公司

上海绅能科技有限公司

无锡艾瑞杰陶瓷技术有限公司

山西中电科新能源技术有限公司

荣通新材料技术衡水有限公司

湖南伊米森科技有限公司

浙江凯威碳材料有限公司

厦门宇昊软件有限公司

苏州德龙激光股份有限公司

河南飞孟金刚石股份有限公司

浙江德鸿碳纤维复合材料有限公司

辽阳兴旺石墨制品有限公司

沈阳恒进真空科技有限公司

山东华特磁电科技股份有限公司



支持媒体：

半导体信息、光伏见闻、光伏、DT新材料、DT半导体、碳纤维研习社
会议时间、地点

会议将于11月23号在湖南长沙步步高福朋喜来登酒店三楼宴会厅举办。

会议注册时间：11月22号14:00—21:00

技术交流时间：11月23号9:00—17:00

欢迎晚宴时间：11月23号18:30—21:00

参观48所时间：11月24号9:00—12:00