如今，人们对快速充电的需求与日俱增，快充技术的发展刻不容缓。然而，目前市面上存在着多种快充协议和技术方案，用户在实际使用中有时会出现不同品牌充电设备协议不兼容的情况。这也是不少用户希望可以改进的方面。

在这种情形下，由中国信息通信研究院、华为、OPPO、vivo、小米及国内手机厂商牵头发起，联合国内终端整机、充电芯片、仪表仪器、充电器、配件等终端快充产业链各方共同筹建的广东省终端快充行业协会应运而生。

自成立以来，作为全国首家电子消费类快充行业协会，广东省终端快充行业协会协同和整合产业资源，加速新技术的标准化、产业化应用和推广。这对于构建产业链利益共同体，打造终端快充研发、制造、评测产业基地，带动核心电子元器件、高端通用芯片、关键基础材料等领域发展，努力建设世界级的终端快充创新型产业集群，具有至关重要的意义。

关于第三代半导体

第三代半导体是一种常温下导电性介于导体和绝缘体之间的材料，具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。可以实现更好的电子浓度和运动控制 ，更适用于制造高温、高频、抗辐射和大功率电子器件，在快充技术领域具有重要的应用价值。其中以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）和金刚石为代表材料，技术较为成熟、应用较多的主要是氮化镓和碳化硅。

目前，国内华为、OPPO、vivo、小米等多家企业在研制快充类产品时都优先选用第三代半导体材料。目的在于尽可能地提升充电效率，推动快速充电常态化，进而提高用户的充电体验感。而随着新需求的不断兴起和材料本身的强劲优势，第三代半导体的市场份额会逐步提高。与之而来的，第三代半导体在快速充电行业中所占分量也将日益增加。

氮化镓（GaN）

第三代半导体材料氮化镓（GaN）具备通电阻小、损耗低、功率密度大、能量转化效率高及体积小等优势，实现了设备体积和性能的优化，是实现快充突破的关键，将成为快充技术升级的重要方向。而对于用户来说，它能够带来的是一种更方便、更舒适的充电体验。

氮（Nitrogen）化学元素符号为 N，原子序数 7。镓（Gallium）化学元素符号为 Ga，原子序数 31，因此将每年的 7 月 31 日定为世界氮化镓日。

碳化硅（SiC）

作为第三代半导体材料，碳化硅（SiC）具有更大的介电击穿强度、更快的饱和电子漂移速度、更电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景。因此，当用于半导体器件中时，碳化硅器件拥有高耐压、低导通电阻、高效率等特性，有助于降低能耗和缩小系统尺寸。这些特性对于快充产品来说是极为重要的，将推动快充技术的发展提升至更高的境界。

碳（Carbon）化学元素符号为 C，原子序数 6。硅（Silicon）化学元素符号为 Si，原子序数 14，因此将每年的 6 月 14 日定为世界碳化硅日。

已加入协会成员

如今，已有七家第三代半导体企业加入终端快充行业协会，相信能这些企业定能与终端快充行业协会协同合作，共同进步，积极推动快充行业的进一步发展，为终端消费者带来极致的充电体验。

下面，我们来了解一下这些成员吧。

高级会员

目前已经加入协会的第三代半导体企业中，高级会员共两个，分别是：GaNext 镓未来（珠海镓未来科技有限公司）、Yuhongjinchip 誉鸿锦（江西誉鸿锦材料科技有限公司）。

GaNext 镓未来（珠海镓未来科技有限公司）

珠海镓未来科技有限公司（以下简称 " 镓未来科技 "）成立于 2020 年 10 月，公司致力于第三代半导体 GaN-on-Si 器件的技术研究创新和行业发展领先。依托高起点、强队伍等，实现 GaN 技术的国产化，推动 GaN 器件技术的世界领先，通过电源系统的创新设计，实现能源的绿色、高效利用。


公司总部位于国家开放创新的最前沿——粤澳深度合作区的 ICC 国际商务中心，拥有 2000㎡的总部办公空间，集成了氮化镓芯片开发、封装开发、芯片测试实验室、可靠性实验中心、失效分析、数据中心等研发功能，实现产品端到端的交付。

公司在深圳新一代产业园设置应用研发实验室，具备电源系统仿真、磁设计、系统调试 EMI 测试等完整的电源系统研发验证功能，拥有 20 余位资深应用工程师，具备 30 瓦到万瓦级高功率密度电源解决方案、功率器件损耗分析及系统优化能力。
公司所指定的 6 寸芯片制造工厂合作商，拥有多年氮化镓生产的技术经验，其目前已实现稳定量产， 产品良率达 95%，失效率低于 20ppm，同时工厂已经通过 IATF16949 的认证，符合车规器件的生产标准， 为 GaN 器件在电动汽车的应用奠定基础。

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Yuhongjinchip 誉鸿锦（江西誉鸿锦材料科技有限公司）

江西誉鸿锦材料科技有限公司成立于 2021 年 1 月，位于江西省抚州市高新技术产业园区，是一家主要从事高品质氮化镓电子材料和高端光电材料 MOCVD 外延生长及器件流片、封装测试、模组的研发、生产制造的高科技创新型企业。


主要的产品包括肖特基二极管、HEMT 晶体管、UVC-LED、激光器、功率放大器等。这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心及 5G 通讯领域。公司的关键工艺设备、仪器以进口设备为主，已具备 4-6 英寸兼容的氮化镓电子材料的外延生产、器件流片及芯片封测能力。
公司现有员工 100 余人，其中博士 15 人、硕士 9 人、本科以上学历占比 70%，技术研发人员占比 83%。公司的团队成员均为该领域内在国内、国际上具有影响力的专家组成，技术专家团队主要来自台湾和日本。

江西誉鸿锦材料科技有限公司将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件领域的 " 中国智造 "！

江西誉鸿锦材料科技有限公司加入终端快充行业协会

普通会员

目前已经加入协会的第三代半导体企业中，普通会员共五个，分别是：ARKmicro 方舟微（成都方舟微电子有限公司）、Ascendsemi 安森德（西安安森德半导体有限公司）、BASiC 基本（深圳基本半导体有限公司）、Innoscience 英诺赛科（英诺赛科（深圳）半导体有限公司）、Tagore 泰高（深圳市泰高技术有限公司）。

ARKmicro 方舟微（成都方舟微电子有限公司）

ARK 成都方舟微电子有限公司（以下简称：方舟微），于 2008 年成立，专业从事功率半导体器件的研发、设计、生产与销售，并提供电源管理、电路保护解决方案，是国内唯一专注耗尽型 MOSFET 设计的公司。产品大量用于充电器、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网等领域，广受客户青睐。


方舟微产品包括消费类和工业类两条产品线，用于充电器、LED 等消费电子产品的 DMZ6005E、 DMZ1015E、DMZ1315E、DMZ1521E 等系列产品，专为 3.1 快充定制开发，为大功率、宽电压输出的快充提供 PWM IC 、同步整流 IC 供电并具有电路启动功能；20V、30V、60V、100V、150V、200V、350V 全系列增强型 MOSFET 高性能对标 AOS 同类产品，海外生产，品质更高、价格更优、供货更有保证。方舟微目前已与 PI、ON、IWATT、立锜、昂宝、康源、华源智信、硅动力等设计公司有深入合作，是华为、荣耀、三星、Google、VIVO、MEIZU、ANKER、RAVPOWER、SONY、LG、TP-LINK 等客户的长期供应商。

方舟微用于工控、汽车电子、物联网等领域的 DMX1072/DMS1072、DMX4022E/DMS4022E、DMZ1511E、DMD4523D 等系列产品，一颗器件即能实现安全的瞬态浪涌抑制、过压过流保护应用，器件性能完全达到甚至超过国外同类产品。目前与 TE、上汽、一汽、南京科远、正崴精密、中电集团等有广泛合作。
方舟微产品仅 DMZ6005E 一颗产品目前已出货 5 亿只，以高品质、高性能、低成本对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户的认可并广泛采用。

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Ascendsemi 安森德（深圳安森德半导体有限公司）

安森德半导体有限公司 ( 以下简称 " 安森德 " ) 是一家专注于高性能、高品质模拟集成电路研发和销售的半导体公司。


安森德的技术团队由在欧美顶尖半导体公司工作过的资深专家组成 , 拥有先进的模拟集成电路设计、工艺、生产、测试及可靠性技术和丰富的质量管理经验。
安森德的通用模拟 IC 产品性能优良、品质卓越 , 可广泛应用于智能手机、PAD、数字电视、DVD、数码相机、笔记本电脑、可穿戴式设备、舞台音响、调音台设备、各种消费类电子产品以及车载电子、工业控制、医疗设备、测试仪表等众多领域。

未来 , 安森德将以市场为导向、以创新为驱动、以服务客户为目标，坚持自主创新，不断开发更高性能的模拟集成电路技术 , 推出在性能、功耗、可靠性等方面具有国际领先水平，在品质、性价比、技术支持等方面具备较强国际竞争力及良好产业化前景的新一代模拟 IC 产品，努力成为世界模拟芯片行业的翘楚。

BASiC 基本（深圳基本半导体有限公司）

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、南京、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞典皇家理工学院、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。


基本半导体掌握领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，累计获得两百余项专利授权，核心产品包括碳化硅二极管和 MOSFET 芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。
基本半导体承担了国家工信部、科技部及广东省、深圳市的数十项研发及产业化项目，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家 5G 中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心，荣获中国专利优秀奖、深圳市专利奖、2020" 科创中国 " 新锐企业、" 中国芯 " 优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。

Innoscience 英诺赛科（英诺赛科（深圳）半导体有限公司）

英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用 IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的 8 英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。


英诺赛科设计、开发和制造涵盖从低压到高压（30V-650V）面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓功率器件，重点聚焦消费类电子、数据中心、电动汽车以及新能源与储能等应用领域。拥有大规模量产能力、采用 8 英寸先进的生产工艺，能够在产能、器件性能、可靠性、工艺稳定性及价格合理性上具备显著的竞争优势。同时也将持续与众多客户和合作伙伴携手致力于氮化镓技术相关系统和解决方案的开发。
英诺赛科加入终端快充行业协会

Tagore 泰高（深圳市泰高技术有限公司）

深圳市泰高技术有限公司主要从事基于第三代半导体 硅（Si）基氮化镓 及 碳化硅（SiC）基氮化镓技术的集成电路研发和销售，所研发的氮化镓芯片已经被超过 60 家欧美国际大公司及 30 家国内大公司的采用。


泰高技术的研发团队源于德国公司英飞凌 , 其芯片设计中心位于美国芝加哥（Chicago），另外在印度设有研发分部，全球研发人员有 50 位以上， 其中超过 80% 研发人员拥有博士学历。研发团队的背景主要在射频氮化镓领域深耕超过 10 余年，具有卓越的芯片设计能力，现有产品包括 RF 射频开关、 射频高功率放大器、电源功率芯片 和 射频低噪声放大器等四大产品系列，全部具有国际领先水平。
" 泰高 , 让设计变简单 " 是我们理想，实现这个理想得益于他们通过精巧的布局，使得工程师更加便捷设计，为产品更高效、更小、更可靠的全新解决方案带来更多可能。

深圳市泰高技术有限公司加入终端快充行业协会

总结

统一快充标准的建立，不仅能提升充电设备的兼容性，为消费者带来更好的使用体验，促进行业绿色低碳发展。而且将带动国内快充产业链上下游的整合，形成产业发展新生态，实现中国快充技术在全球标准的引领。

相信未来将会有更多的第三代半导体企业加入进来，共同推动建立兼容、统一的快充标准。