主流半导体采用硅材料，射频、功率、光通信等特殊应用对半导体材料提出特殊需求。SiC是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一，是由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等特性，碳化硅器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和新能源汽车、光伏、航天、军工等环境应用领域有着不可替代的优势......

同半导体材料硅（Si）相比，碳化硅（SiC）禁带宽度是硅（Si）的 3 倍，击穿电压是其 8-10 倍，导热率是其 3-5 倍，电子饱和漂移速率是其 2-3 倍。在物理性质上，SiC 具有高硬度、

高耐磨性、高导热率、高热稳定性以及散热性好的特点；在化学性质上，SiC表面易形成硅氧化物薄膜以防止其进一步氧化。传统 Si-IGBT 的导通电阻较大，在开关过程中具有较大的反向电流，趋于稳定的过程中会产生巨大的损耗，而SiC材料可以提高系统效率。

近年来，全球发达国家及中国不断推出相关政策支持第三代半导体材料发展。据不完全统计，2002 年2019 年，美国共计出台了 23 项第三代半导体相关的规划政策，总投入经费超过 22 亿美元。值此背景下，碳化硅(SiC)材料正在逐步成长为市场聚焦的新赛道。