在物理研究所的先进材料与结构分析实验室,陈小龙和同事们正在对刚刚生长出来的碳化硅晶体进行分析研究。与传统的气相法不同,这个4英寸的碳化硅晶体采用的是最新的液相法生长而成。
相比同类硅基器件而言,碳化硅器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、体积小和重量轻等优点,在电动汽车、光伏、轨道交通、5G通信等领域具有重要的应用价值。多年来,陈小龙带领团队立足自主研发,从基础研究到应用研究,突破了生长设备、高质量碳化硅晶体生长和加工等关键技术,实现了整套技术路线的自主可控。通过多年不懈攻关,科研团队通过气相法将碳化硅晶体直径从小于10毫米不断增大到2英寸、4英寸、6英寸和8英寸。
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